发明名称 一种单晶硅太阳电池的制绒工艺
摘要 本发明公开了一种单晶硅太阳电池的制绒工艺,包括如下步骤:(1)将单晶硅片放入弱碱性清洗液进行清洗,去除硅片表面损伤;(2)将清洗后的单晶硅片放入氢氧化钾和异丙醇的混合液中,在硅片表面形成金字塔结构的绒面;(3)将步骤(2)完成后的硅片放入混合溶液中进行制绒,使其表面形成多孔金字塔结构的绒面;所述混合溶液为HF溶液、AgNO3溶液和H2CrO4溶液的混合液;(4)清洗硅片。本发明开发了一种新的单晶硅太阳电池的制绒工艺,实验证明,最终经过处理的单晶硅表面反射率在可见光范围内可以稳定在5%以下,取得了显著的效果。
申请公布号 CN102618937A 申请公布日期 2012.08.01
申请号 CN201210103012.8 申请日期 2012.04.10
申请人 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 发明人 肖俊峰;王栩生;章灵军
分类号 C30B33/10(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 C30B33/10(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 陶海锋;陆金星
主权项 一种单晶硅太阳电池的制绒工艺,其特征在于,包括如下步骤:(1) 将单晶硅片放入弱碱性清洗液中进行清洗,去除硅片表面损伤;(2) 将清洗后的单晶硅片放入氢氧化钾和异丙醇的混合液中,在硅片表面形成金字塔结构的绒面;(3) 将步骤(2)完成后的硅片放入混合溶液中进行制绒,使其表面形成多孔金字塔结构的绒面;所述混合溶液为HF溶液、AgNO3溶液和H2CrO4溶液的混合液,三者的浓度分别为5~15mol/L、0.0001~0.0004mol/L和0.05~0.5mol/L;反应时间为5~20min,反应温度为10~70℃;(4) 清洗硅片。
地址 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号