包括外延区域的半导体器件

摘要

本发明描述了一种包括外延区域的半导体器件，包括：半导体基板；在该基板上的栅极结构；外延区域，设置在该基板上并邻近栅极结构；隔离元件，与栅极结构邻接；以及层间电介质层，覆盖在隔离元件上。还提供一种方法，包括：提供基板并且在基板上形成与栅极结构邻接的第一隔离材料层。第二隔离材料层邻近形成，与栅极结构邻接并覆盖在第一隔离材料层上。然后，第一隔离材料层和第二隔离材料层被同时蚀刻，以分别形成第一和第二隔离层。外延区域形成(例如，生长)在基板上，基板包括与第一和第二隔离层中的每个接合的界面。第二隔离层可以被随后去除，并且保留在器件上的第一隔离层减小ILD间隔填充的纵横比。第一隔离层的典型合成物是SiCN。

主权项

一种方法，包括：提供基板；在所述基板上形成与栅极结构邻接的第一隔离材料层，其中，所述第一隔离材料层包括硅和碳；形成覆盖在所述第一隔离材料层上的第二隔离材料层；同时蚀刻所述第一隔离材料层和所述第二隔离材料层，以分别形成第一隔离层和第二隔离层；以及在与所述第一隔离层和第二隔离层接合的所述基板上形成外延区域。