基于SOI的纵向堆叠式硅纳米线场效应晶体管制备方法

摘要

本发明的基于SOI的纵向堆叠式硅纳米线场效应晶体管制备方法，包括：在SOI上交替生长硅层和锗硅层，形成鳍形有源区并在鳍形有源区内形成硅纳米线，接着，在硅纳米线、SOI衬底以及源漏区表面形成栅极氧化层；在所述源漏区之间的SOI衬底上形成栅极；在所述源漏区和所述栅极之间形成栅极氧化层。由于SOI中埋氧层的存在，有效增加了栅极与SOI衬底之间的隔离效果；又由于在硅纳米线上形成栅极氧化层工艺是独立进行的，从而可以采用常规的栅极氧化层；此外采用纵向堆叠式硅纳米线结构来设计硅纳米线场效应晶体管(Si-NWFET)结构，纳米线条数增多，器件电流驱动能力增大。

主权项

一种基于SOI的纵向堆叠式硅纳米线场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次包括硅衬层、埋氧层和顶层硅；对所述SOI衬底表面进行处理，将所述SOI衬底的顶层硅转化为初始锗硅层；在所述SOI衬底上交替形成硅层和后续锗硅层，所述初始锗硅层和后续锗硅层共同构成锗硅层；对所述锗硅层和硅层刻蚀处理，形成鳍形有源区，剩余的区域作为源漏区；在所述鳍形有源区内形成硅纳米线，所述硅纳米线纵向堆叠；在所述硅纳米线、SOI衬底以及源漏区表面形成栅极氧化层；在所述源漏区之间的SOI衬底上形成栅极；在所述源漏区和所述栅极之间形成隔离介质层。