硅通孔结构及其制造方法

摘要

本发明所述硅通孔结构及其制造方法，通过在形成若干层间介质层之前，在所述金属前介质层和半导体衬底中形成窗口，并在所述窗口中形成第二阻挡层，而形成若干层间介质层之后，形成通孔，其中所述通孔的孔径小于形成第二阻挡层后的窗口的孔径，从而剩余的初始填充介质层在通孔与所述形成第二阻挡层后的窗口之间形成填充介质层，其后在通孔中形成第一阻挡层和通孔金属，从而在所述通孔与所述半导体衬底之间形成三层隔离结构，包括第一阻挡层、填充介质层和第二阻挡层，从而提高了隔离结构的连续性，进而有效避免通孔金属的导电材料扩散入半导体衬底而导致半导体器件劣化的问题，提高了半导体器件的可靠性。

主权项

一种硅通孔结构，所述通孔结构由半导体衬底中引出、并贯穿位于所述半导体衬底上的金属前介质层和若干层间介质层，其特征在于，包括：通孔金属，填充于所述通孔结构中；第一阻挡层，所述第一阻挡层包裹所述通孔金属的底面和侧壁；第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述半导体衬底和金属前介质层中，并围绕所述第一阻挡层的底面和部分侧壁，所述第二阻挡层与第一阻挡层之间具有间隙；以及填充介质层，所述填充介质层填充于所述第一阻挡层和第二阻挡层之间的间隙。