发明名称 |
一种新型肖特基倒封装芯片 |
摘要 |
本实用新型公开了一种新型肖特基倒封装芯片,包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极,所述硅片正极和所述芯片正极连接,所述硅片负极和所述芯片负极连接,所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面;所述硅片正极位于所述硅片的表面上,所述硅片正极的旁边设置有凹槽,所述硅片负极位于所述凹槽内。由于本实用新型将硅片正极和硅片负极设置于硅片的同一侧面,使整个产品的厚度大大降低;由于将硅片负极设置于凹槽内,并在硅片正极和硅片负极之间设置隔离沟槽,不但使整个产品的厚度进一步降低,而且使硅片正极和硅片负极之间的隔离性能更好,完全满足各种电路对正、负极之间隔离性能的高要求。 |
申请公布号 |
CN202363463U |
申请公布日期 |
2012.08.01 |
申请号 |
CN201120491498.8 |
申请日期 |
2011.12.01 |
申请人 |
重庆平伟实业股份有限公司 |
发明人 |
王兴龙;李述州 |
分类号 |
H01L29/41(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/41(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种新型肖特基倒封装芯片,包括封装体、芯片正极、芯片负极、硅片、硅片正极和硅片负极,所述硅片正极和所述芯片正极连接,所述硅片负极和所述芯片负极连接,其特征在于:所述硅片正极和所述硅片负极位于所述硅片的同一侧面,所述硅片正极位于所述硅片的表面上,所述硅片正极的旁边设置有凹槽,所述硅片负极位于所述凹槽内。 |
地址 |
405200 重庆市梁平县梁山镇皂角村双桂工业园区 |