一种卤化银复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种卤化银复合材料的制备方法，所述卤化银复合材料是指将卤化银负载在具有导电性能的载体表面制备而成的卤化银复合物，其中卤化银含量为载体重量的1.0%～175%，所述卤化银为溴化银或碘化银，所述具有导电性能的载体为片状石墨、膨胀石墨、石墨烯、碳纳米管、粒状活性炭、沸石或二氧化钛。本发明采用湿法共沉淀制备的复合材料可以使超细的AgX纳米颗粒均匀分散在具有导电性能的载体表面，抑制了AgX在表面的团聚。

主权项

一种卤化银复合材料的制备方法，其特征在于所述卤化银复合材料是指将卤化银负载在具有导电性能的载体表面制备而成的卤化银复合物，其中卤化银含量为载体重量的1.0%～175%，所述卤化银为溴化银或碘化银，所述具有导电性能的载体为片状石墨、膨胀石墨、石墨烯、碳纳米管、粒状活性炭、沸石或二氧化钛；制备方法是在阳离子型表面活性剂十六烷基三甲基卤化铵辅助下通过湿法共沉淀获得，具体包括以下步骤：（1）将0.13～20g具有导电性能的载体的固体粉末加入到100 ml的0.001～0.05 mol/L 十六烷基三甲基卤化铵水溶液中，超声分散10～60 min，再用磁力搅拌器搅拌10～60 min，得到均匀分布的悬浮液A；（2）取0.0012 mol的AgNO3加入到2.3 ml的含有25 wt. % NH3的NH4OH 溶液得到混合溶液B；（3）将B混合溶液迅速加入至悬浮液A中，在室温下磁力搅拌6～24h后，所得的沉淀通过高速离心机分离和乙醇清洗3～5遍后，在75～100℃下烘干；然后再在200～700 ℃温度下分别煅烧2～6小时，即得卤化银复合材料。