| 发明名称 | 一种非易失性存储单元及其数据编程、读取、擦除方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储单元及其数据编程、读取、擦除方法，该非易失性存储单元包括第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管包括第一漏极、第一源极、第一栅极和第一衬底；第二晶体管包括第二漏极、第二源极、第二栅极和第二衬底；第一晶体管的第一漏极与位线连接；第二晶体管的第二漏极与位线反连接；第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极共同与字线连接；第一晶体管的第一源极与第一源线连接，第二晶体管的第二源极与第二源线连接；第一晶体管的第一衬底和第二晶体管的第二衬底共同与衬底线连接。本发明所述的非易失性存储单元，与现有逻辑工艺尤其是深亚微米逻辑工艺完全兼容，存储单元的面积能够随逻辑工艺的缩小而缩小。 | ||
| 申请公布号 | CN102623049A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201110030444.6 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 北京兆易创新科技有限公司 | 发明人 | 刘奎伟;张赛 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 郝庆芬;郭凤麟 |
| 主权项 | 一种非易失性存储单元，其特征在于，包括：第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管包括第一漏极、第一源极、第一栅极和第一衬底；第二晶体管包括第二漏极、第二源极、第二栅极和第二衬底；第一晶体管的第一漏极与位线连接；第二晶体管的第二漏极与位线反连接；第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极共同与字线连接；第一晶体管的第一源极与第一源线连接，第二晶体管的第二源极与第二源线连接；第一晶体管的第一衬底和第二晶体管的第二衬底共同与衬底线连接。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 | ||