| 发明名称 | 半导体迭层与其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体迭层与其制造方法。一种半导体迭层的制造方法，其包括下列步骤。首先，于基板上形成非晶硅层。接着，对非晶硅层的表面进行表面处理。之后，于经过表面处理后的非晶硅层的表面上形成掺杂微晶硅层，其中非晶硅层与掺杂微晶硅层之间的界面缺陷，在宽度为1.5微米与厚度为40纳米的一截面范围内，所占的截面积比例小于或等于10％。上述半导体迭层的制造方法可应用于半导体元件的制程中，以有效减少半导体迭层的界面缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101540282B | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN200910138578.2 | 申请日期 | 2009.05.08 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 侯智元 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/263(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 一种半导体迭层的制造方法，其特征在于，所述方法包括：于一基板上形成一非晶硅层；对所述非晶硅层的一表面进行一表面处理，所述表面处理包括利用一氢气等离子体，或一氩气等离子体，或一氮气等离子体对所述非晶硅层的所述表面进行一前处理；以及于经过所述表面处理后的所述非晶硅层的所述表面上形成一掺杂微晶硅层，其中所述非晶硅层与所述掺杂微晶硅层之间的界面缺陷，在宽度为1.5微米与厚度为40纳米的一截面范围内，所占的截面积比例小于或等于10％。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||