发明名称 |
适用于FPGA的栅氧击穿反熔丝配置单元结构 |
摘要 |
本实用新型涉及一种适用于FPGA的栅氧击穿反熔丝配置单元结构,其包括:一个基于栅氧击穿反熔丝存储单元,一个编程选择控制管,一个编程隔离管,一个控制FPGA布线通道的开关管。该配置单元在反熔丝编程阶段电源接编程高压VPP,当FPGA完成配置后电源接标准电压VDD。反熔丝存储单元一端即栅极接编程选择控制管,另一端即有源区接地,反熔丝数据输出连接编程隔离管,编程隔离管下一级为FPGA布线通道开关管,实现对FPGA电路布局布线的控制。其优点是:采用四管栅氧击穿反熔丝配置单元结构,可以在普通的CMOS工艺线上实现FPGA的反熔丝配置单元功能,具有电路密度高、低功耗、非易失性编程和高可靠性、高寿命的特点。 |
申请公布号 |
CN202363459U |
申请公布日期 |
2012.08.01 |
申请号 |
CN201120467472.X |
申请日期 |
2011.11.22 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
发明人 |
封晴;胡小琴;宣志斌;王晓玲;胡凯;马金龙 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H03K19/0948(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所 32104 |
代理人 |
殷红梅 |
主权项 |
适用于FPGA的栅氧击穿反熔丝配置单元结构,其特征是:包括一个基于栅氧击穿反熔丝存储单元(FUSE)、一个编程选择控制管(M1)、一个保护内部逻辑与编程高压隔离的编程隔离管(M2),和一个控制FPGA布线通道的开关管(M3);所述基于栅氧击穿反熔丝存储单元(FUSE)栅极连接编程选择控制管(M1)漏极和编程隔离管(M2)源极,基于栅氧击穿反熔丝存储单元(FUSE)的有源区接地;编程选择控制管(M1)栅极接外部配置信号,编程选择控制管(M1)源极与衬底接电源电压;编程隔离管(M2)栅极由外部控制信号控制开启与否,编程隔离管(M2)衬底接电源,编程隔离管(M2)漏极连接控制FPGA布线通道的开关管(M3)栅极,控制FPGA布线通道的开关管(M3)源极与漏极连接在外部信号通道中,控制FPGA布线通道的开关管(M3)衬底接地。 |
地址 |
214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 |