发明名称 |
一种钨/低活化钢的真空电子束钎焊连接方法 |
摘要 |
本发明提供了一种钨/低活化钢的真空电子束钎焊连接方法,属于金属材料领域。具体是以成分为Ti:30-50%,Zr:30-50%,Cu:10-15%,Ni:5-10%(wt%)的非晶态Ti基箔带为钎料,采用真空电子束钎焊技术进行钨与低活化钢的钎焊连接。施焊时从钨的表面进行电子束面扫描加热,温度控制在800-1200℃,腔室内工作真空度1.0-5.0×10-3Pa,加速电压100-150kV,聚焦电流100-600mA,电子束流1-10mA,扫描频率为0.1-1kHz,采用计算机控制高频扫描线圈,加热时间为1-5分钟。本发明方法可以使钨与低活化钢在短时间内实现连接,效率高,焊缝界面结合完好,没有孔隙、夹杂、裂纹等缺陷。可广泛应用于磁约束核聚变实验装置中氦冷偏滤器部件的连接。 |
申请公布号 |
CN102000895B |
申请公布日期 |
2012.08.01 |
申请号 |
CN201010298801.2 |
申请日期 |
2010.09.29 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
燕青芝;郭双全;葛昌纯 |
分类号 |
B23K1/005(2006.01)I;B23K1/20(2006.01)I;B23K103/18(2006.01)N |
主分类号 |
B23K1/005(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 |
代理人 |
刘淑芬;刘淑芬 |
主权项 |
一种钨/低活化钢的真空电子束钎焊连接方法,其特征在于采用真空电子束钎焊技术进行连接,非晶态箔带钛基钎料为填充钎料,非晶态箔带钛基钎料成分为Ti:30‑50wt%,Zr:30‑50wt%,Cu:10‑15wt%,Ni:5‑10wt%,厚度为微米级。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号 |