发明名称 一种用于MOCVD反应腔的气体流量控制装置
摘要 本实用新型提供一种用于MOCVD反应腔的气体流量控制装置,其用于在MOCVD工艺中控制MO气源所提供的气体分配到反应腔不同区域的流量,其特征在于,至少包括:第一通道以及第二通道,所述MO气源至少通过所述第一通道以及所述第二通道分别与反应腔的第一区域与第二区域联通,其中,所述第一通道上包括一个压力控制器(PC),其用于控制通过所述第一通道内的气体,所述第二通道上包括一个流量控制器(MFC),其用于控制通过所述第二通道内的气体。通过将压力控制器与流量控制器分别设置在不同通道上,实现对反应腔内不同区域气体流量的控制,从而使得反应腔中沉积的物质更加均匀。同时还可以有效地控制MO气源的压力。
申请公布号 CN202359196U 申请公布日期 2012.08.01
申请号 CN201120368151.4 申请日期 2011.09.29
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 魏强
分类号 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/18(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 吴世华;冯志云
主权项 一种用于MOCVD反应腔的气体流量控制装置,其用于控制MO气源所提供的气体分配到反应腔不同区域的流量,其特征在于,至少包括:第一通道以及第二通道,所述MO气源至少通过所述第一通道以及所述第二通道分别与反应腔的第一区域与第二区域联通,其中,所述第一通道上包括一个压力控制器,其用于控制通过所述第一通道内的气体,所述第二通道上包括一个流量控制器,其用于控制通过所述第二通道内的气体。
地址 201201 上海市浦东新区泰华路188号