发明名称 |
一种晶圆接合的晶粒制程方法 |
摘要 |
本发明一种晶圆接合的晶粒制程方法,主要提供一种减少材料浪费,并降低加工成本的晶圆接合的晶粒制程方法。所述晶圆接合的晶粒制程方法利用蒸镀技术于晶圆的其中一面及一永久基板的接合面分别建构一第一金属蒸镀层及一第二金属蒸镀层,再利用化学电镀技术分别于第一金属蒸镀层及一第二金属蒸镀层上建构一第一金属接合层及一第二金属接合层;最后将第一金属接合层与第二金属接合层相贴合,并施以高温令其熔融接合,再将该晶圆的磊晶基板完全移除,即完成晶圆接合作业。 |
申请公布号 |
CN102623299A |
申请公布日期 |
2012.08.01 |
申请号 |
CN201110033392.8 |
申请日期 |
2011.01.31 |
申请人 |
洲磊科技股份有限公司 |
发明人 |
廖奇德;谢吉勇 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;C23C28/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京申翔知识产权代理有限公司 11214 |
代理人 |
艾晶;周春发 |
主权项 |
一种晶圆接合的晶粒制程方法,其特征在于,包括以下步骤:a.提供一具有磊晶基板及磊晶叠层的晶圆;b.利用蒸镀技术于该晶圆的磊晶叠层表面建构一预定厚度的第一金属蒸镀层;c.利用化学电镀技术于该晶圆的第一金属蒸镀层上建构一预定厚度的第一金属接合层;d.提供一永久基板层;e.利用蒸镀技术于该永久基板的接合面建构一预定厚度的第二金属蒸镀层;f.利用化学电镀技术于该永久基板的第二金属蒸镀层上建构一预定厚度的第二金属接合层;g.将该第一金属接合层与该第二金属接合层相贴合,并施以高温令该第一金属接合层与该第二金属接合层熔融接合;h.将该晶圆的磊晶基板完全移除,即可将完成晶圆的基板置换。 |
地址 |
中国台湾苗栗县竹南镇科义街38号 |