| 发明名称 | 半导体器件和在半导体管芯上方形成集成无源器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯上方形成集成无源器件的方法。半导体器件具有第一半导体管芯。在第一半导体管芯上方形成第一电感器。在第一电感器上方形成第二电感器并使其与第一电感器对准。在第一半导体管芯以及第一和第二电感器上方形成绝缘层。在绝缘层上方形成导电桥并电连接在第二电感器与第一半导体管芯之间。在一个实施例中，半导体器件具有第二半导体管芯且在第一和第二半导体管芯之间形成导电层。在另一实施例中，在第一半导体管芯上方形成电容器。在另一实施例中，绝缘层在第一半导体管芯的覆盖区上方具有第一厚度且在第一半导体管芯的覆盖区外面具有小于第一厚度的第二厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN102623391A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201110434955.4 | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 新科金朋有限公司 | 发明人 | 林耀剑;刘凯;陈康 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;卢江 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供第一半导体管芯；在第一半导体管芯上方形成第一电感器；在第一电感器上方形成第二电感器并使其与第一电感器对准；在第一半导体管芯以及第一和第二电感器上方形成绝缘层；以及在绝缘层上方形成导电桥并电连接在第二电感器与第一半导体管芯之间。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||