双极晶体管

摘要

本发明公开了一种双极晶体管，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的第一导电类型的杂质离子注入层构成，底部连接由两个第一导电类型的赝埋层连接而形成的埋层，所述赝埋层通过在有源区两侧的浅槽底部注入第一导电类型杂质离子形成；通过在所述赝埋层上场氧中制作深槽接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上的第二导电类型的薄膜构成；一发射区，由形成于所述基区上的第一导电类型的多晶硅构成。本发明能缩小器件面积、降低寄生效应、减少光刻层数以及降低工艺成本低。

主权项

一种双极晶体管，其特征在于，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的第一导电类型的杂质离子注入层构成，底部连接由两个第一导电类型的赝埋层连接而形成的埋层，所述赝埋层通过在有源区两侧的浅槽底部注入第一导电类型杂质离子形成；通过在所述赝埋层上场氧中制作深槽接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上的第二导电类型的薄膜构成；一发射区，由形成于所述基区上的第一导电类型的多晶硅构成；在所述有源区的宽度小于0.5微米时，形成于所述有源区两侧的浅槽底部的两个赝埋层通过横向扩散而交汇于有源区，形成所述集电区的埋层；在所述有源区的宽度大于0.5微米时，在有源区内和所述两个赝埋层相同深度处注入与所述赝埋层导电类型相同的杂质，连接所述两个赝埋层，形成所述集电区的埋层；所述集电区的深槽接触是在深槽中填入钛‑氮化钛过渡金属层以及金属钨形成。