一种KDP类晶体侧向快速生长方法

摘要

本发明属于溶液法生长晶体的技术领域，涉及一种KDP类晶体侧向快速生长方法，选择自组装晶体生长装置，用重结晶高纯KH2PO4和二次蒸馏水配置生长溶液，用纯KOH将溶液pH值调至5.0，测出KH2PO4溶液在pH＝5.0时的溶解度曲线，再配置浓度值为50克KH2PO4/100克水的生长溶液将pH值调至5.0进行过滤过热处理后，将降温至饱和点温度以上，将片状籽晶固定在籽晶架AB板之间下方中心处放生长缸中，待籽晶微溶后将生长溶液温度降至饱和点，根据溶解度曲线和溶液体积设定降温程序，采用正-停-反的顺序转动籽晶架，到晶体生长到设定尺寸得II类相位匹配的片状KDP晶体；其生长装置成本低，制造简单，晶体生长易控，生长质量好，易于加工。

主权项

一种KDP类晶体侧向快速生长方法，其特征在于先选择自组装晶体生长装置，用重结晶高纯KH2PO4和二次蒸馏水配置浓度值分别为27、33、39、46、53克KH2PO4/100克水的生长溶液，然后用纯KOH将这些不同浓度值的溶液pH值调至5.0，测出KH2PO4溶液在pH＝5.0时的溶解度曲线，再按照生长缸容积的大小，配置浓度值为50克KH2PO4/100克水的生长溶液，将生长溶液的pH值调至5.0，对生长溶液进行过滤过热处理后，将温度降至饱和点温度以上2‑3℃，将符合II类相位匹配的KDP类晶体的片状籽晶固定在自组装晶体生长装置的籽晶架的A板和B板之间下方中心处，然后放入晶体的生长缸中，待籽晶微溶后，将生长溶液温度降至饱和点温度，根据pH＝5.0的溶解度曲线和生长溶液的体积计算并设定降温程序，生长初期的降温速度为0.5‑0.8℃/d，随着晶体的长大，降温速度逐渐增大到1.0‑2.0℃/d，使籽晶架的转速设定为15r/min，采用正‑停‑反的顺序转动方式由电机带动转动籽晶架，直到晶体生长到设定尺寸完成晶体的定向生长，得到II类相位匹配的片状KDP晶体。