一种负温度系数热敏电阻芯片材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种负温度系数热敏电阻芯片材料，热敏粉料包括以下含量的过渡金属氧化物混合粉料：二氧化锰MnO250~85mol%、氧化亚镍NiO1~30mol%和氧化铜CuO1~20mol%；以及还包括添加以下组分中的至少一种：二氧化硅SiO20.2~5%（重量）、二氧化锆ZrO20.2~5%（重量）、三氧化二铝Al2O30.2~5%（重量）、三氧化二钇Y2O30.2~5%（重量），其中，以上的重量百分比表示组分占所述过渡金属氧化物混合粉料的总质量的比。本发明的热敏电阻芯片具有缺陷少，高温老化性能和通流老化性能较好，最大稳定电流和最大容许电容较大，可以显著扩展其应用范围，尤其适用于抑制浪涌电流等优点。

主权项

一种负温度系数热敏电阻芯片材料，其特征在于：热敏粉料包括以下含量的过渡金属氧化物混合粉料：二氧化锰MnO2 50~85mol%、氧化亚镍NiO 1~30mol%和氧化铜CuO 1~20mol%；以及还包括添加以下组分中的至少一种：二氧化硅SiO2 0.2~5%（重量）、二氧化锆ZrO2 0.2~5%（重量）、三氧化二铝Al2O3 0.2~5%（重量）、三氧化二钇Y2O3 0.2~5%（重量），其中，以上的重量百分比表示组分占所述过渡金属氧化物混合粉料的总质量的比。