发明名称 |
像素结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种像素结构及其制作方法,涉及液晶显示领域,主要用于缩短像素的充电时间。本发明公开的一种TFT-LCD像素结构,包括栅线和数据线,以及由所述栅线和数据线限定的像素单元;所述像素单元中形成有像素电极和第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管位于所述栅线的上方,且所述第一薄膜晶体管的栅极与该栅线相连接,其源极与所述数据线相连接,其漏极与所述像素电极通过一过孔电连接;并且,在所述栅线的下方还形成有第二薄膜晶体管,该第二薄膜晶体管的栅极与该栅线相连接,其源极和漏极分别与所述栅线下方的同一行中相邻的两个像素单元的像素电极通过过孔电连接。本方案可以用于液晶显示器的生产。 |
申请公布号 |
CN102621752A |
申请公布日期 |
2012.08.01 |
申请号 |
CN201110034061.6 |
申请日期 |
2011.01.31 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
发明人 |
王峥;邵喜斌 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1345(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种TFT‑LCD像素结构,包括栅线和数据线,以及由所述栅线和数据线限定的像素单元;所述像素单元中形成有像素电极和第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管位于所述栅线的上方,且所述第一薄膜晶体管的栅极与该栅线相连接,其源极与所述数据线相连接,其漏极与所述像素电极通过一过孔电连接;其特征在于,在所述栅线的下方还形成有第二薄膜晶体管,该第二薄膜晶体管的栅极与该栅线相连接,其源极和漏极分别与所述栅线下方的同一行中相邻的两个像素单元的像素电极通过过孔电连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |