发明名称 |
增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法及结构 |
摘要 |
一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,至少包括以下步骤:提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的硅基板;施以第一次毯覆式且较低能量n型离子布植,以形成n型杂质第一掺杂区,因此,第一掺杂区与p型硅基板接面形成第一道pn接面空乏区;以及施以第二次较高能量n型离子布植,以具有多个开口图案的遮罩为离子布值遮罩,以形成多个n型杂质第二掺杂区,第二掺杂区连接自第一掺杂区且如弹头形向下延伸,第二掺杂区与p型硅基板接面形成弹头形的第二道pn接面空乏区,第一道pn接面空乏区与第二道pn接面空乏区相连接,電流增加池的製程扩大pn接面面积。采用本发明的增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,可以增加光电流,使太阳能电池的光电转换效率大幅提升。 |
申请公布号 |
CN102623312A |
申请公布日期 |
2012.08.01 |
申请号 |
CN201110231923.4 |
申请日期 |
2011.08.15 |
申请人 |
英稳达科技股份有限公司 |
发明人 |
简荣吾 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
上海波拓知识产权代理有限公司 31264 |
代理人 |
杨波 |
主权项 |
一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法,其特征在于,所述方法至少包括以下步骤:提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的半导体基板;施以第一次毯覆式,且较低能量高剂量的n型离子布植,以形成n型杂质第一掺杂区,所述第一掺杂区与p型半导体基板接面形成第一道pn接面空乏区;以及施以第二次毯覆式,且较高能量低剂量的n型离子布植,以形成n型杂质第二掺杂区,所述第二掺杂区连接所述第一掺杂区,且向所述第一掺杂区下方延伸,并覆盖过所述第一道pn接面空乏区,与所述p型半导体基板接面形成第二道pn接面空乏区,其中,布植剂量的选择以约略大于或能补偿p型半导体基板的原始掺杂浓度为原则,以增加所述pn接面空乏区的宽度。 |
地址 |
中国台湾桃园县大溪镇仁和路二段349号 |