| 发明名称 | 制备沟槽底部辅助栅介质层以及沟槽DMOS管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制备沟槽底部辅助栅介质层以及沟槽DMOS管的方法，属于沟槽DMOSFET器件领域。该沟槽底部辅助栅介质层的制备方法包括以下步骤：(1)提供已形成所述沟槽的衬底，并氧化形成第一栅氧介质层；(2)在所述第一栅氧介质层上沉积形成辅助栅介质层；(3)涂覆光刻胶以覆盖所述辅助栅介质层；(4)控制干法刻蚀条件刻蚀所述光刻胶、以使仅在所述沟槽中残留一定厚度的光刻胶；(5)以所述残留的光刻胶为掩膜刻蚀所述辅助栅介质层；以及(6)去除沟槽中所残留的光刻胶。该沟槽DMOS管的制备方法包括以上所述的沟槽底部辅助栅介质层的制备方法过程。本发明具有工艺稳定、一致性好、成本低且生成效率高的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102623316A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201110037089.5 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 钱志浩;朱福生 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杜娟娟;高为 |
| 主权项 | 一种沟槽DMOS管的沟槽底部辅助栅介质层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)提供已形成所述沟槽的衬底，并氧化形成第一栅氧介质层；(2)在所述第一栅氧介质层上沉积形成辅助栅介质层；(3)涂覆光刻胶以覆盖所述辅助栅介质层；(4)控制干法刻蚀条件刻蚀所述光刻胶、以使仅在所述沟槽中残留一定厚度的光刻胶；(5)以所述残留的光刻胶为掩膜刻蚀所述辅助栅介质层；以及(6)去除沟槽中所残留的光刻胶。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||