| 发明名称 | 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法，所述方法包括下列步骤：提供具有N/PMOS晶体管的衬底；在所述结构上沉积氧化硅缓冲层；在所述结构上沉积具有高拉应力的第一氮化硅应力层；对PMOS区域进行光刻以及蚀刻，去除该区域的第一氮化硅应力层和氧化硅缓冲层；在所述结构上沉积具有高压应力的第二氮化硅应力层；对NMOS区域进行光刻以及蚀刻，去除该区域的第二氮化硅应力层。采用该方法制备的双应力层，优化了工艺，减少了成本，同时由于在NMOS区域上面不会有二氧化硅缓冲层对栅极的影响，采用该方法制备的双应力层，能够提高N/PMOS的电迁移率，从而改善器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102623333A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201210114141.7 | 申请日期 | 2012.04.17 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 徐强 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：提供具有N/PMOS晶体管的衬底；在所述结构上沉积氧化硅缓冲层；在所述结构上沉积具有高拉应力的第一氮化硅应力层；对PMOS区域进行光刻以及蚀刻，去除该区域的第一氮化硅应力层和氧化硅缓冲层；在所述结构上沉积具有高压应力的第二氮化硅应力层；对NMOS区域进行光刻以及蚀刻，去除该区域的第二氮化硅应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||