发明名称 发光器件及背光单元
摘要 本发明公开了一种发光器件及背光单元,该发光器件包括:透光衬底;发光结构,设置在所述透光衬底上,包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;导电层,设置在所述第二导电类型半导体层上;第一电极部,设置在所述导电层上,具有至少一预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触;以及第一绝缘层,设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间。本发明的发光器件能够增强照明效率和照明强度。
申请公布号 CN102623602A 申请公布日期 2012.08.01
申请号 CN201210022699.2 申请日期 2012.01.20
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 罗珉圭;金省均;金明洙
分类号 H01L33/38(2010.01)I;G02F1/13357(2006.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 姜燕;邢雪红
主权项 一种发光器件,包括:透光衬底;发光结构,设置在所述透光衬底上,该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;导电层,设置在所述第二导电类型半导体层上;第一电极部,设置在所述导电层上,该第一电极部具有至少一预定区域,该预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层和所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触;以及第一绝缘层,设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间。
地址 韩国首尔