| 发明名称 | C/SiC 复合材料、该复合材料的制备方法及摩擦片 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种C/SiC复合材料、该复合材料的制备方法及摩擦片，该方法包括以下步骤：1)沉积SiC层：采用化学气相沉积法在碳纤维表画沉积上厚度为2～10μm的SiC层，得到具有SiC层的碳纤维；2)浸渍沥青：在具有SiC层的碳纤维中加入沥青，升温融化沥青后，恒温加压浸渍，得到C/树脂生坯；3)碳化：冷却后在保护气氛下碳化C/树脂生坯，得到C/C复合材料预制体；4)气相渗硅：真空烧结条件下采用气相渗硅法处理C/C复合材料预制体后得到C/SiC复合材料。本发明提供的方法制备得到的C/SiC复合材料的弯曲强度达203MPa、弹性模量达256GPa、摩擦系数为0.238，各项力学性能优良，C/SiC复合材料内外组份均一。 | ||
| 申请公布号 | CN102617178A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201210110949.8 | 申请日期 | 2012.04.16 |
| 申请人 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 发明人 | 曹英斌;张长瑞;刘荣军;王思青;李斌 |
| 分类号 | C04B35/80(2006.01)I;C04B35/52(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;F16D69/02(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/80(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明 |
| 主权项 | 一种C/SiC复合材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)沉积SiC层：采用化学气相沉积法在碳纤维表画上沉积厚度为2～10μm的SiC层，得到具有SiC层的碳纤维；2)浸渍沥青：在所述具有SiC层的碳纤维中加入沥青，升温融化沥青后，恒温加压浸渍，得到C/树脂生坯；3)碳化：冷却后在保护气氛下碳化所述C/树脂生坯，得到C/C复合材料预制体；4)气相渗硅：真空烧结条件下采用气相渗硅法处理所述C/C复合材料预制体后得到所述C/SiC复合材料。 | ||
| 地址 | 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号 | ||