发明名称 一种氮化镓晶体抛光的方法
摘要 本发明公开了一种氮化镓晶体抛光的方法,所述方法包括以下步骤:将氮化镓晶片粘贴在石英板上;用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨;对抛光液进行加热升温,用紫外光照射抛光的氮化镓晶片,用抛光机对研磨后的氮化镓晶片进行化学机械抛光。本发明在传统的氮化镓晶片化学机械抛光的基础上,使用了紫外光对其晶片进行照射,同时使用了自制水浴加热系统对抛光液进行升温,提高了化学机械抛光过程中的化学反应速率,再通过重物重量的调节,使得物理去除作用和化学作用达到平衡,不仅解决了氮化镓晶体难抛光的问题,提高了N面和Ga面去除速率,也获得了令人满意的光亮表面。本发明方法成本明显更低,工艺实施简单,并且有效的提高了抛光效率。
申请公布号 CN101673668B 申请公布日期 2012.08.01
申请号 CN200910180529.5 申请日期 2009.10.19
申请人 中国电子科技集团公司第四十六研究所 发明人 李强;徐永宽;程红娟;殷海丰;于祥潞;杨丹丹;赖占平;严如岳
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;B24B37/04(2012.01)I;B24B29/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人 梁军
主权项 一种氮化镓晶体抛光的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:将氮化镓晶片粘贴在石英板上;用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨;把抛光垫贴在抛光盘上,用环型重物把贴有氮化镓晶片的石英板压在抛光垫上,使紫外光从环形重物上方透过,照在氮化镓晶片上,对抛光液加热;启动抛光机,使研磨盘旋转进而带动氮化镓晶片以及环型重物旋转进行抛光;其中,环型重物的压力为100‑500g/cm2。
地址 300220 天津市河西区洞庭路26号