TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管之间设置有将寄生区域包含在内的空腔，所述寄生区域为漏电极与栅电极之间的重叠区域。所述栅线和栅电极形成在基板上，其上形成有绝缘层，所述空腔由所述绝缘层上开设的凹槽形成。本发明通过在漏电极与栅电极的重叠区域内形成空腔结构，减小了漏电极与栅电极之间介质层的介电常数，有效地减小了寄生电容，进而有效降低了像素电极产生的跳变电压。跳变电压的减小还可以有效降低各个像素电极跳变电压的不均匀，消除了各种类型水印缺陷的发生。本发明技术手段简单，易于实施，具有广泛的应用前景。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的漏电极与栅电极之间设置有将寄生区域包含在内的空腔，所述寄生区域为漏电极与栅电极之间的重叠区域；所述栅线和栅电极形成在基板上，其上形成有绝缘层，所述空腔由所述绝缘层上开设的凹槽形成；其中，所述漏电极的上侧边缘和下侧边缘位于所述凹槽的上侧边缘和下侧边缘所限定的区域之内，所述漏电极的内侧边缘和外侧边缘位于所述凹槽的内侧边缘和外侧边缘所限定的区域之内，所述漏电极的外侧边缘、上侧边缘和下侧边缘的下方形成有支撑条，支撑条之间形成所述空腔；或者，所述漏电极的上侧边缘和下侧边缘位于所述凹槽的上侧边缘和下侧边缘所限定的区域之内，所述漏电极的外侧边缘位于所述绝缘层之上，所述漏电极的上侧边缘和下侧边缘的下方形成有支撑条，支撑条之间形成所述空腔。