发明名称 | 一种TFT阵列基板像素点修复制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种TFT阵列基板像素点修复制造工艺,对己经制作完成的存在点缺陷的TFT阵列基板像素进行单点修复,首先对TFT阵列基板点缺陷处位置精确定位,再采用激光切割方式将存在点缺陷像素切割且移除,再将采用微机械加工工艺制作完成的单个TFT点像素填补至此位置并定位精确,再采用电气层自组装方式将各层膜层分别连接起来,完成此TFT点像素与TFT阵列基板电气性能的连接。采用本发明的方法,可以使存在缺陷的样品再利用,大大提高工业生产的良率,降低生产制造成本。 | ||
申请公布号 | CN102623401A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
申请号 | CN201210101988.1 | 申请日期 | 2012.04.10 |
申请人 | 上海大学 | 发明人 | 陈龙龙;李喜峰;张建华 |
分类号 | H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人 | 何文欣 |
主权项 | 一种TFT阵列基板像素点修复制造方法,其特征在于,TFT阵列基板像素点修复分为两个步骤:①首先是转移用TFT点像素制造及准备工艺制备TFT点像素(20),②其次是对TFT阵列基板TFT缺陷点进行修复。 | ||
地址 | 200444 上海市宝山区上大路99号 |