发明名称 一种制备SiC超细粉体的方法
摘要 本发明涉及一种制备SiC超细粉体的方法,属于无机非金属材料制备技术领域。是采用高能球磨的方法,通过高能球磨工艺的控制,最终获得粒度达到亚微米级,甚至粒度能达到纳米级的SiC粉体。本方法解决了现有制备方法存在的工艺复杂、成本高、效率低以及粉体粒度分布不均匀等缺点,可大批量生产。
申请公布号 CN102616781A 申请公布日期 2012.08.01
申请号 CN201210095155.9 申请日期 2012.04.01
申请人 昆明理工大学 发明人 蔡晓兰;吴清军;乐刚;王开军
分类号 C01B31/36(2006.01)I 主分类号 C01B31/36(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种制备SiC超细粉体的方法,其特征在于具体方法经过如下:按球料质量比为5:1~40:1称取不锈钢球和SiC粉料,然后将SiC粉料、工艺控制剂和钢球装入高能卧式搅拌球磨机中进行球磨,通入保护气体,按照球磨机转速200转/分~1000转/分,球磨1~10小时,即得到SiC超细粉体。
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号