Method of manufacturing phase change memory device comprising surface treatment process of phase change layer,申请号KR20060100009-传众专利搜索

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发明名称	Method of manufacturing phase change memory device comprising surface treatment process of phase change layer
摘要
申请公布号	KR101169395(B1)	申请公布日期	2012.07.30
申请号	KR20060100009	申请日期	2006.10.13
申请人		发明人
分类号	H01L27/115;H01L21/8247	主分类号	H01L27/115
代理机构		代理人
主权项
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