Verfahren zur Abscheidung einer Metallschicht auf einem Halbleiterbauelement

摘要

Die Anmeldung betrifft ein Halbleiterbauelement und Verfahren zur galvanischen Abscheidung einer ersten Kontaktmetallschicht auf Kontaktflächen einer Mehrzahl von im Waferverbund vorliegenden Halbleiterbauelementen mit einem pn-Übergang dessen p-dotierter Volumenbereich an eine erste Oberfläche und dessen n-dotierter Volumenbereich an eine zweite Oberfläche angrenzt und dort zweite Kontaktflächen ausbildet Die zweite Oberfläche der Halbleiterbauelemente wird hierbei flüssigkeitsdicht mit einer Kontakteinrichtung eingeschlossen, wobei die Kontakteinrichtung mindestens ein Kontaktelement in elektrischem Kontakt zur zweiten Kontaktflächen der Halbleiterbauelemente und die ein externes Anschlusselement aufweist. Die Halbleiterbauelemente werden mit angeordneter Kontakteinrichtung in ein Galvanikbad mit mindestens einer Elektrode eingebracht und Gleichspannung an die Elektrode und an das Anschlusselement der Kontakteinrichtung angelegt, wodurch sich an den ersten Kontaktflächen der Halbleiterbauelemente Metall der Elektrode abscheidet.