发明名称 |
Fotodiodenbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
摘要 |
Das Fotodiodenbauelement besitzt eine elektrisch leitfähige Kathodenschicht (3) an einer Fotodiodenschicht (4) aus einem Halbleitermaterial. Dotierte Anodenbereiche (5) befinden sind an einer von der Kathodenschicht abgewandten Oberseite der Fotodiodenschicht. Ein Graben (14) unterteilt die Fotodiodenschicht. Eine Leiterschicht (7) ist in oder an dem Graben angeordnet und verbindet die Kathodenschicht elektrisch leitend mit einem Kathodenanschluss (11). Anodenanschlüsse (12) sind elektrisch leitend mit den Anodenbereichen verbunden. |
申请公布号 |
DE102011009373(A1) |
申请公布日期 |
2012.07.26 |
申请号 |
DE20111009373 |
申请日期 |
2011.01.25 |
申请人 |
AUSTRIAMICROSYSTEMS AG |
发明人 |
TEVA, JORDI, DR.;SCHRANK, FRANZ |
分类号 |
H01L27/146;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L27/146 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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