低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列

摘要

低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，属于半导体激光器领域，为了降低纵向和横向发散角，以改善激光器的光束质量，获得高亮度激光输出，本发明设计了低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，该阵列纵向结构从下至上依次为：N型衬底、N型限制层、N型布拉格反射波导、有源区、P型布拉格反射波导、P型限制层、P型盖层，所述纵向结构中N型布拉格反射波导和P型布拉格反射波导分别至少由一对高、低折射率材料周期生长组成，该阵列横向结构包括电流注入区和其两侧的横向布拉格反射波导，所述两侧的横向布拉格反射波导分别至少由一对高、低脊形结构周期排列组成，所述低脊形部分紧挨电流注入区。本发明实现了高亮度激光输出。

主权项

低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，该阵列的纵向结构从下至上依次为：N型衬底(101)、N型限制层(102)、N型布拉格反射波导(103)、有源区(104)、P型布拉格反射波导(105)、P型限制层(106)和P型盖层(107)，所述纵向结构中N型布拉格反射波导(103)和P型布拉格反射波导(105)分别至少由一对高、低折射率材料周期生长组成，其特征在于，该阵列横向结构包括电流注入区(201)和电流注入区(201)两侧的横向布拉格反射波导，所述两侧的横向布拉格反射波导分别至少由一对高、低脊形结构周期排列组成，所述低脊形部分紧挨电流注入区(201)。