一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜及制备方法

摘要

一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜，为h-BN/Al/金刚石复合膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和纳米六方氮化硼h-BN膜依次叠加组成，其制备方法是采用MOCVD沉积系统制备，先对金刚石衬底表面进行表面等离子体清洗，然后用直流磁控溅射法制备纳米Al膜，最后在纳米Al膜表面用射频磁控溅射法制备纳米六方氮化硼h-BN膜。本发明的优点是：该压电薄膜可制备高频、大功率、高机电耦合系数、低传播损耗且频率温度特性好的SAW器件，其频率大于4.8GHz、功率大于8w；该压电薄膜的制备工艺简单、通用性强、易于实施，有利于大规模推广应用，以满足高频率和/或大功率移动通信的需求。

主权项

一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜，其特征在于：为h‑BN/Al/金刚石复合膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和纳米六方氮化硼h‑BN膜依次叠加组成。