| 发明名称 | 一种P型掺杂Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1-x</sub>S纳米材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种P型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料及其制备方法，本发明采用化学气相沉积法和气-液-固生长机制，在合成过程中原位掺杂Ag、Cu、N、P等元素进行p型掺杂制备p型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料，通过调节蒸有10nm金薄膜的硅片的位置，可以得到不同组分的ZnxCd1-xS纳米材料。本发明P型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料具有成分可调，电导率可控的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102605340A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201210077101.X | 申请日期 | 2012.03.22 |
| 申请人 | 合肥工业大学 | 发明人 | 王莉;王祥安;卢敏;赵兴志;于永强;揭建胜;胡继刚;朱志峰;张彦;李强 |
| 分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人 | 何梅生 |
| 主权项 | 一种P型掺杂ZnxCd1‑xS纳米材料，其特征在于：0＜x＜1；P型掺杂的掺杂源选自Ag2S、Cu2S、NH3、PH3中的一种或几种。 | ||
| 地址 | 230009 安徽省合肥市屯溪路193号 | ||