发明名称 | 相变式存储装置和其操作方法 | ||
摘要 | 一种相变式存储装置和其操作方法,其中的操作存储单元的方法,包括一可程序化至多个阻值状态的相变存储元件,方法包括:施加一第一脉冲通过相变存储元件以将该阻值状态由一第一阻值状态改为一第二阻值状态,第一脉冲具有一前缘与一后缘,其中在第一脉冲的该前缘与第一脉冲的后缘之上的半峰全宽点被定义为一第一脉冲宽度;以及施加一第二脉冲通过相变存储元件以决定该阻值状态,第二脉冲具有一前缘与一后缘,其中在第二脉冲的该前缘与第二脉冲的后缘之上的半峰全宽点被定义为一第二脉冲宽度,第二脉冲的前缘的该半峰全宽点与第一脉冲的后缘的半峰全宽点之间相隔一时段,其中第一脉冲宽度与时段的一总和小于或等于70纳秒,且第一脉冲宽度小于时段。 | ||
申请公布号 | CN101685669B | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
申请号 | CN200910146275.5 | 申请日期 | 2009.06.26 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林昱佑;陈逸舟 |
分类号 | G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种操作存储单元的方法,其中存储单元包括一可编程至多个阻值状态的相变存储元件,该操作存储单元的方法包括:施加一第一脉冲通过该相变存储元件以将该阻值状态由一第一阻值状态改为一第二阻值状态,该第一脉冲具有一前缘与一后缘,其中在该第一脉冲的该前缘之上的半峰全宽点与该第一脉冲的该后缘之上的半峰全宽点之间的宽度被定义为一第一脉冲宽度;以及施加一第二脉冲通过该相变存储元件以决定该阻值状态,该第二脉冲具有一前缘与一后缘,其中在该第二脉冲的该前缘之上的半峰全宽点与该第二脉冲的该后缘之上的半峰全宽点之间的宽度被定义为一第二脉冲宽度,该第二脉冲的该前缘的该半峰全宽点与该第一脉冲的该后缘的该半峰全宽点之间相隔一时段,其中该第一脉冲宽度与该时段的一第一总和小于或等于70纳秒,且该第一脉冲宽度小于该时段。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |