发明名称 |
沉积金属氧化物材料的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种改善由原子层沉积(ALD)或ALD类工艺形成的金属氧化物涂层的均匀性的方法。使用金属卤化物和含氧前体(优选水)的交替脉冲以及必要时的净化来形成层。含氧前体脉冲之后的变质剂脉冲的引入对层的均匀性有积极影响,通常表现为梯度,特别是在紧密排列 基板的应用中。特别地,层的厚度均匀性得到改善。根据本发明,具有一到三个碳原子的醇类可以用作变质剂。 |
申请公布号 |
CN101688300B |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
申请号 |
CN200880022712.6 |
申请日期 |
2008.07.02 |
申请人 |
BENEQ有限公司 |
发明人 |
J·毛拉;K·哈克内 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
柳冀 |
主权项 |
降低或消除ALD或ALD类工艺中的层的非均匀性的方法,该方法包括如下阶段:a)将表面暴露于包含至少一种金属卤化物的第一前体或前体混合物,该第一前体选自氯化钽、氯化钛、氯化铝、氯化铪、氯化锆和氯化铌以及它们的混合物,b)将得到的表面暴露于选自水、过氧化氢、叔丁醇和它们的混合物的第二前体,c)将得到的表面暴露于至少一种包含一种化学物质的变质剂,所述化学物质选自具有一至三个碳原子的醇类。 |
地址 |
芬兰万塔 |