| 发明名称 | 巯基烷基烷氧基硅烷的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种成本较低、适合工业化大规模生产的巯基烷基烷氧基硅烷的制备方法，包括如下步骤：(一)在惰性气体保护下，将醇钠投入高压釜内；(二)然后向高压釜内通入硫化氢，温度控制在10℃～70℃，釜内压力控制在0.01～2Mpa；(三)接着向高压釜内滴加氯烷基烷氧基硅烷，温度控制在10℃～150℃之间，釜内压力控制在0.01～2Mpa之间；(四)再将上述反应物过滤，收集滤液进行减压蒸馏，收集馏份得到目标物质巯基烷基烷氧基硅烷；本发明的优点是：工艺简单，减少了对环境的污染，产品收率达90％以上，纯度可达98％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101423528B | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN200710134642.0 | 申请日期 | 2007.11.02 |
| 申请人 | 张家港市国泰华荣化工新材料有限公司 | 发明人 | 陶荣辉;李建中;赵世勇;陈剑;方剑慧 |
| 分类号 | C07F7/18(2006.01)I | 主分类号 | C07F7/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人 | 黄春松 |
| 主权项 | 巯基烷基烷氧基硅烷的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(一)在惰性气体保护下，将醇钠投入高压釜内；(二)然后向高压釜内通入硫化氢，温度控制在10℃～70℃，釜内压力控制在0.01～2Mpa；(三)接着向高压釜内滴加氯烷基烷氧基硅烷，温度控制在10℃～150℃之间，釜内压力控制在0.01～2Mpa之间；(四)再将上述反应物过滤，收集滤液进行减压蒸馏，收集馏份得到目标物质巯基烷基烷氧基硅烷。 | ||
| 地址 | 215631 江苏省张家港市金港镇后塍塍东路112号 | ||