用于等离子体化学气相沉积反应器的喷淋板电极

摘要

用于等离子体化学气相沉积(CVD)的方法与装置。特别是，具有清洗功能的等离子体CVD装置具有改进的喷淋板，该喷淋板的孔具有相同的横截面面积以产生高清洗速度。所述喷淋板可以用作电极，并且可以具有连接到电源的导电延伸部。清洗气体和反应气源从中流过的喷淋板可以包括孔加工表面区域，该孔加工表面区域的尺寸与传统用于确保沉积过程期间良好的膜厚均匀性的区域尺寸不同。所述孔加工表面区域可以基于待处理衬底的尺寸或喷淋板的整个表面的尺寸而变化。

主权项

一种处理晶片后利用远程等离子体放电装置清洗化学气相沉积处理腔室的方法，所述方法包括：从所述腔室中的基座中移除经处理的晶片；将清洗气体供给到远程等离子体放电装置；利用等离子体能量激活远程等离子体放电装置中的所述清洗气体；将激活后的清洗气体传送到所述腔室内并且通过面向所述基座的喷淋板的多个孔，所述孔延伸完全通过所述喷淋板，所述孔每个具有相同的横截面面积，其中具有所有所述孔的所述喷淋板的最小圆形区域的直径是所述晶片的直径的0.95到1.05倍，其中所述清洗气体流过安装在通向所述喷淋板的入口上方的陶瓷导管，所述陶瓷导管具有大于35mm的长度；以及在晶片处理阶段期间，将反应气体供给到所述腔室并且通过所述喷淋板的孔，其中所述喷淋板用作电极以将所述反应气体在所述腔室内激发成等离子体，其中所述反应气体流过所述陶瓷导管。