半导体发光元件及其制法

摘要

一种半导体发光元件，包含：一半导体晶片及一受激发光层。受激发光层覆盖于半导体晶片上，受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。其制法，包含：a)提供一半导体晶片，并量测其出光强度分布；b)依据该半导体晶片的出光强度分布决定一受激发光层的形状，使受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，以使各出光角度色温均匀，并制作一具有预定形状的治具；c)借由治具于半导体晶片上形成一受激发光层。目的在于借由受激发光层的形状补偿晶片发光强度不均的缺点，达到色度均匀。

主权项

一种半导体发光元件，包含：一半导体晶片及一受激发光层；该受激发光层覆盖于该半导体晶片上；其特征在于：该受激发光层对应该半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚，对应发光强度较弱区域厚度较薄，且整体外形呈凸弧形，该受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。