等离子体处理装置和聚焦环

摘要

本发明提供等离子体处理装置和聚焦环。本发明的目的是在对半导体晶片等被处理基板进行等离子体处理时，进一步减少周边部下面的沉积物的产生。当使被处理基板(W)载置在配置于处理腔室(10)内的载置台(11)上，通过施加高频电压，使处理腔室(10)内产生等离子体，对被处理基板(W)进行处理时，在载置台(11)上载置的被处理基板(W)的周边部下方，形成使由等离子体生成的离子向被处理基板(W)的周边部下面加速的电场，由此使离子与被处理基板(W)的周边部下面碰撞，从而减少沉积物的产生。

主权项

一种等离子体处理装置，使被处理基板载置在配置于处理腔室内的载置台上，通过施加高频电压，使处理腔室内产生等离子体，对被处理基板进行处理，其特征在于：包括以包围所述载置台上载置的被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，所述聚焦环具有：配置在所述载置台上载置的被处理基板的周围外侧的、由导电性材料构成的外侧环部；和在所述载置台上载置的被处理基板的周边部下方，与所述被处理基板的周边部隔开规定间隔配置的、由导电性材料构成的内侧环部，所述内侧环部与所述载置台之间通过绝缘部件电绝缘，与地线电连接的第二导电性部件靠近通过所述绝缘部件与所述载置台绝缘的所述外侧环部而配置，在所述外侧环部与所述第二导电性部件之间设置有第二绝缘部件。