一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管

摘要

本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，源端外延区位于源区和沟道区之间，漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区俯视图呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。本发明可提高基于硅纳米线MOS晶体管的横向双扩散晶体管的耐高压能力。

主权项

一种横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，所述沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，所述源端外延区位于源区和沟道区之间，所述漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。