一种沟槽式MOSFET的侧墙结构及工艺制造方法

摘要

本发明另提出一种沟槽式MOSFET的侧墙结构及工艺制造方法，其沟槽式MOSFET的侧墙结构工艺制造方法包括以下步骤：（1）设置重掺杂衬底。（2）在重掺杂衬底上形成轻掺杂外延层。（3）在轻掺杂外延层上形成轻掺杂阱区。（4）形成穿过轻掺杂阱区，并与轻掺杂外延层接触的多个栅极沟槽。（5）在轻掺杂阱区上部，以及栅极沟槽之间形成重掺杂源区。（6）在每个栅极沟槽两侧形成侧墙。（7）通过侧墙自对准形成顶部开口大于底部开口的源极接触孔。本发明可以进一步提高MOSFET的晶胞密度，更方便地对源极接触孔的刻蚀以及有利于源极接触孔的金属填充。

主权项

一种沟槽式MOSFET的侧墙结构，包括由重掺杂衬底、轻掺杂外延层、轻掺杂阱区和重掺杂源区依次邻接而成的一半导体基板、以及在该半导体基板上形成的多个栅极沟槽和多个源极接触孔，且一个源极接触孔设置在相邻的两个栅极沟槽之间，其特征在于，在每个源极接触孔上端开口的两侧均设置有有斜度的侧墙，并使该源极接触孔的顶部开口大于底部开口，且每个栅极沟槽中填充有多晶硅，多晶硅高出重掺杂源区一厚度，该侧墙设置在高出重掺杂源区的多晶硅的两侧。