发明名称 | 制备硅的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及改进的制备硅,优选太阳能硅的方法,其使用新型的高纯度模制品,特别是石墨电极,还涉及制备所述新型模制品的工业方法。 | ||
申请公布号 | CN102612489A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
申请号 | CN201080051816.7 | 申请日期 | 2010.11.04 |
申请人 | 赢创德固赛有限公司 | 发明人 | A·卡尔;J·E·朗;H·劳勒德尔;B·弗林斯 |
分类号 | C01B31/02(2006.01)I;C01B33/025(2006.01)I;F27B3/08(2006.01)I;F27B3/20(2006.01)I;F27D11/08(2006.01)I;F27D99/00(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 于辉 |
主权项 | 制备硅的方法,所述硅优选为太阳能硅,其通过使用碳还原二氧化硅,其特征在于在电弧炉中进行所述方法,并且所述炉或电极的至少部分由石墨材料制备,所述石墨材料由碳材料得到,所述碳材料通过裂解至少一种碳水化合物,优选至少一种糖而得到。 | ||
地址 | 德国埃森 |