发明名称 制备硅的方法
摘要 本发明涉及改进的制备硅,优选太阳能硅的方法,其使用新型的高纯度模制品,特别是石墨电极,还涉及制备所述新型模制品的工业方法。
申请公布号 CN102612489A 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN201080051816.7 申请日期 2010.11.04
申请人 赢创德固赛有限公司 发明人 A·卡尔;J·E·朗;H·劳勒德尔;B·弗林斯
分类号 C01B31/02(2006.01)I;C01B33/025(2006.01)I;F27B3/08(2006.01)I;F27B3/20(2006.01)I;F27D11/08(2006.01)I;F27D99/00(2006.01)I 主分类号 C01B31/02(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 于辉
主权项 制备硅的方法,所述硅优选为太阳能硅,其通过使用碳还原二氧化硅,其特征在于在电弧炉中进行所述方法,并且所述炉或电极的至少部分由石墨材料制备,所述石墨材料由碳材料得到,所述碳材料通过裂解至少一种碳水化合物,优选至少一种糖而得到。
地址 德国埃森
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