| 发明名称 | 微机电装置的扩散阻挡层 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN102608754A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201210065596.4 | 申请日期 | 2006.10.19 |
| 申请人 | 高通MEMS科技公司 | 发明人 | 王新福;唐明华;斯蒂芬·奇 |
| 分类号 | G02B26/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | G02B26/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 孟锐 |
| 主权项 | 一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||