发明名称 |
一种浮栅的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种浮栅的制备方法,具体步骤如下:步骤一:形成浅沟槽隔离(STI),依次沉积栅氧化层和浮栅;步骤二:再依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层;步骤三:然后进行第二阻挡层的化学机械研磨(CMP),直至第一阻挡层;步骤四:以第二阻挡层作为阻挡层,去除浅沟槽隔离(STI)区域上面的第一阻挡层;步骤五:以第二阻挡层作为阻挡层,去除浅沟槽隔离(STI)区域上面的浮栅;步骤六:再用湿法依次去除有源区上面的第二阻挡层和第一阻挡层;步骤七:漏出浮栅,形成浮栅结构。本发明涉及的浮栅完全是炉管沉积出来的,没有经过CMP的研磨,其厚度是均匀的,有效地提高了编程和擦除的性能,非常适于实用。 |
申请公布号 |
CN102610504A |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
申请号 |
CN201210066527.5 |
申请日期 |
2012.03.14 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
肖海波 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种浮栅的制备方法,其特征在于:所述方法的具体步骤如下:步骤一: 形成浅沟槽隔离(STI),依次沉积栅氧化层和浮栅;步骤二:再依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层;步骤三:然后进行第二阻挡层的化学机械研磨(CMP),直至第一阻挡层;步骤四:以第二阻挡层作为阻挡层,去除浅沟槽隔离(STI)区域上面的第一阻挡层;步骤五:以第二阻挡层作为阻挡层,去除浅沟槽隔离(STI)区域上面的浮栅;步骤六:再用湿法依次去除有源区上面的第二阻挡层和第一阻挡层;步骤七:漏出浮栅,形成浮栅结构。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |