发明名称 一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法
摘要 一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法,其步骤包括:⑴对Si单晶基体样品进行过渡族金属离子注入;⑵在保护气氛中将上述步骤⑴得到的样品快速热退火;⑶对上述步骤⑵得到的样品进行零族离子注入。其优点是:利用本发明可以获得居里温度(Tc)高于室温的Si基稀磁半导体材料,且该Si基稀磁半导体材料的饱和磁化强度有大幅提升,其饱和磁化强度为单束注入法获得的Si基稀磁半导体的饱和磁化强度的2.5-6倍。
申请公布号 CN102605432A 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN201210106104.1 申请日期 2012.04.12
申请人 武汉大学 发明人 郭立平;陈济鸿;李铁成;罗凤凤
分类号 C30B31/22(2006.01)I;H01F1/40(2006.01)I 主分类号 C30B31/22(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 薛玲
主权项 一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:⑴对Si单晶基体样品进行过渡族金属离子注入;⑵在保护气氛中将上述步骤⑴得到的样品快速热退火;⑶对上述步骤⑵得到的样品进行零族离子注入。
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