发明名称 |
一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法 |
摘要 |
一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法,其步骤包括:⑴对Si单晶基体样品进行过渡族金属离子注入;⑵在保护气氛中将上述步骤⑴得到的样品快速热退火;⑶对上述步骤⑵得到的样品进行零族离子注入。其优点是:利用本发明可以获得居里温度(Tc)高于室温的Si基稀磁半导体材料,且该Si基稀磁半导体材料的饱和磁化强度有大幅提升,其饱和磁化强度为单束注入法获得的Si基稀磁半导体的饱和磁化强度的2.5-6倍。 |
申请公布号 |
CN102605432A |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
申请号 |
CN201210106104.1 |
申请日期 |
2012.04.12 |
申请人 |
武汉大学 |
发明人 |
郭立平;陈济鸿;李铁成;罗凤凤 |
分类号 |
C30B31/22(2006.01)I;H01F1/40(2006.01)I |
主分类号 |
C30B31/22(2006.01)I |
代理机构 |
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 |
代理人 |
薛玲 |
主权项 |
一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:⑴对Si单晶基体样品进行过渡族金属离子注入;⑵在保护气氛中将上述步骤⑴得到的样品快速热退火;⑶对上述步骤⑵得到的样品进行零族离子注入。 |
地址 |
430072 湖北省武汉市武昌珞珈山武汉大学 |