| 发明名称 | 一种LED晶片微焊共晶方法 | ||
| 摘要 | 一种LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，包括筛选配比合适的银锡焊料；预热基片或底座；焊料涂布，将银锡焊料涂布于基片支架上，用于固定LED晶片位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；给基片蒸镀上一层厚度为1µm以上的保护层，所述保护层为银、金或其它合金；在共晶温度下将芯片焊接到基片上；在直接加热、热超声或对点加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。 | ||
| 申请公布号 | CN102601477A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201210100565.8 | 申请日期 | 2012.04.09 |
| 申请人 | 深圳市因沃客科技有限公司 | 发明人 | 罗会才;王鸿;谌孙佐;陈小宇;胡霞军 |
| 分类号 | B23K1/00(2006.01)I;B23K1/20(2006.01)I | 主分类号 | B23K1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人 | 刘大弯 |
| 主权项 | 一种LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，包括筛选配比合适的银锡焊料；预热基片或底座；焊料涂布，将银锡焊料涂布于基片支架上，用于固定LED晶片位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；给基片蒸镀上一层厚度为1μm以上的保护层，所述保护层为银、金或其它合金；在共晶温度下将芯片焊接到基片上；在直接加热、热超声或对点加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。 | ||
| 地址 | 518103 广东省深圳市宝安区福永镇和平村和盛工业区六栋 | ||