发明名称 一种硅酸铋纳米晶的制备方法
摘要 一种硅酸铋纳米晶的制备方法,首先,将丙酮与水混合得混合液,然后将二氧化硅和三氧化二铋放入球磨罐中得混合料,再向球磨罐中加混合液球磨后将得到的料浆干燥冷却破碎得配合料;然后,将配合料的三分之一加入事先放入硅碳棒电阻炉中带盖的素瓷坩埚中经加热保温后,放入马弗炉中,再次进行加热保温后随炉冷却,即得硅酸铋(Bi2SiO5)纳米晶。本发明解决了长期一来不能通过常规烧结法制备亚稳相硅酸铋(Bi2SiO5)的难题,所制备的硅酸铋(Bi2SiO5)纳米晶晶粒尺寸小,晶体纯度高,杂相极少。所制备的硅酸铋(Bi2SiO5)纳米晶可作为制备高品质透明硅酸铋(Bi2SiO5)单晶的优质原料及高性能的催化材料。
申请公布号 CN101792181B 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN201010108205.3 申请日期 2010.02.09
申请人 陕西科技大学 发明人 郭宏伟;王秀峰;高档妮;韩方明;贺祯;郭晓琛;田鹏;朱常任
分类号 C01G29/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 主分类号 C01G29/00(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 徐文权
主权项 一种硅酸铋纳米晶的制备方法,其特征在于:1)首先,将丙酮与水按1∶1的质量比混合得混合液,然后将二氧化硅和三氧化二铋按SiO2∶Bi2O3=1∶1的摩尔比放入球磨罐中得混合料,再向球磨罐中加混合料质量35%的混合液球磨1~4小时后将得到的料浆于120~150℃下保温1~3小时后冷却破碎得配合料;2)然后,将配合料的三分之一加入事先放入硅碳棒电阻炉中带盖的素瓷坩埚中,第一次加料温度为1150℃,保温10min后再将剩余配合料的一半加入坩埚中,再在1150℃保温10min后加入剩余的配合料,然后以20~30℃/分钟升温至1180℃,盖上坩埚盖子保温1~4小时,保温过程中每隔30分钟对熔融的配合料即玻璃液搅拌10秒钟;3)保温结束后,将坩埚盖去掉,从硅碳棒电阻炉中取出坩埚,放入750℃的马弗炉中,保温10~60分钟后以5℃/分钟升温至880℃,保温10~30分钟后,随炉冷却,即得硅酸铋(Bi2SiO5)纳米晶。
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