发明名称 Al-基合金溅射靶及其制造方法
摘要 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅,由此防止配线膜等中产生的缺陷,提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni,Co)中的至少一种、选自B组(Cu,Ge)中的至少一种和选自C组(La,Gd,Nd)中的至少一种的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金溅射靶,并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
申请公布号 CN101691657B 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN200910132939.2 申请日期 2009.03.31
申请人 株式会社钢臂功科研;株式会社神户制钢所 发明人 高木胜寿;岩崎祐纪;得平雅也;后藤裕史;三木绫;奥野博行;越智元隆;岸智弥
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C22C21/00(2006.01)I;C22C21/12(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22F1/04(2006.01)I;C22F1/057(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李贵亮
主权项 一种Al‑基合金溅射靶,其含有:从由Ni及Co构成的A组中选择的至少一种,从由Cu及Ge构成的B组中选择的至少一种,和从由La、Gd及Nd构成的C组中选择的至少一种,其中,所述Al‑基合金溅射靶的硬度以维氏硬度HV计为35以上,所述A组的总含量为0.05原子%以上且1.5原子%以下;所述B组的总含量为0.1原子%以上且1原子%以下;所述C组的总含量为0.1原子%以上且1原子%以下。
地址 日本国兵库县