发明名称 一种适用于金属薄膜材料的3omega热导测量方案
摘要 本发明属于微电子技术领域,具体为一种适用于金属性薄膜材料的3omega热导测量方法。该方法基于改进的解析模型,利用3omega测试结构与频率相关的热学响应特性,通过实验拟合手段得到与一组频率相关的热流比值。从该值推导出实验材料的热阻,并最终得到被测样品的热导值。利用本发明的热导测量方法,可以提供快速准确的金属薄膜热导信息,大大扩展了3omega电学测量技术的适用范围。本发明适用于纳米量级薄膜的测量,样品结构简单,避免原有电学测试方法中的复杂工艺结构,因此可作为金属薄膜材料热学参量的快速表征手段,在微电子工业领域中有其应用前景。
申请公布号 CN101975794B 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN201010276530.0 申请日期 2010.09.09
申请人 复旦大学 发明人 宗兆翔;刘冉;仇志军;沈臻魁
分类号 G01N25/20(2006.01)I 主分类号 G01N25/20(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人 陆飞;盛志范
主权项 1.一种适用于金属薄膜材料的3omega热导测量方法,其特征在于具体步骤如下:(1)针对基准金属薄膜材料与被测金属薄膜材料分别制备3omega测量系统的三层材料结构:金属薄膜线-介质薄膜-体硅衬底;(2)对金属薄膜线的两个“I”端,分别输入高频与低频的交流电流,从“V”端处测量输出电压振荡信号,利用锁相放大器提取其中的一次谐波分量V<sub>1ω</sub>和三次谐波分量V<sub>3ω</sub>;(3)根据下列表达式,将测量出的电压信号的三次谐波分量V<sub>3ω</sub>转化为金属线温度变化ΔT<sub>m</sub>:<maths num="0001"><![CDATA[<math><mrow><mi>&Delta;</mi><msub><mi>T</mi><mi>m</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><mn>2</mn><mrow><mo>(</mo><msub><mi>V</mi><mrow><mn>3</mn><mi>&omega;</mi></mrow></msub><mo>-</mo><msub><mi>V</mi><mrow><mi>z</mi><mo>-</mo><mn>3</mn><mi>&omega;</mi></mrow></msub><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><msub><mi>V</mi><mrow><mn>1</mn><mi>&omega;</mi></mrow></msub><msub><mi>&alpha;</mi><mi>TCR</mi></msub></mrow></mfrac><mo>.</mo></mrow></math>]]></maths>其中,V<sub>z-3ω</sub>根据本发明描述的改进模型推导给出<maths num="0002"><![CDATA[<math><mrow><msub><mi>V</mi><mrow><mi>z</mi><mo>-</mo><mn>3</mn><mi>&omega;</mi></mrow></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><mn>4</mn><msub><mi>&alpha;</mi><mi>TCR</mi></msub><msup><mi>I</mi><mn>3</mn></msup><msup><mi>R</mi><mn>2</mn></msup></mrow><mrow><msup><mi>&pi;</mi><mn>2</mn></msup><msub><mi>L</mi><mi>m</mi></msub><msub><mi>S</mi><mi>m</mi></msub><msub><mi>&rho;</mi><mi>m</mi></msub><msub><mi>C</mi><mi>pm</mi></msub></mrow></mfrac></mrow></math>]]></maths><maths num="0003"><![CDATA[<math><mrow><mo>&times;</mo><mfrac><mn>1</mn><msqrt><msup><mrow><mo>(</mo><msub><mi>D</mi><mi>m</mi></msub><mfrac><msup><mi>&pi;</mi><mn>2</mn></msup><msubsup><mi>L</mi><mi>m</mi><mn>2</mn></msubsup></mfrac><mo>+</mo><mfrac><mrow><msub><mi>&kappa;</mi><mi>s</mi></msub><mi>q</mi><msub><mi>K</mi><mn>1</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mi>q</mi><msub><mi>r</mi><mn>0</mn></msub><mo>)</mo></mrow></mrow><mrow><msub><mi>&rho;</mi><mi>m</mi></msub><msub><mi>C</mi><mi>pm</mi></msub><msub><mi>d</mi><mi>m</mi></msub><msub><mi>K</mi><mn>0</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mi>q</mi><msub><mi>r</mi><mn>0</mn></msub><mo>)</mo></mrow><mi>m</mi><mrow><mo>(</mo><mi>&omega;</mi><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow><mn>2</mn></msup><mo>+</mo><msup><mrow><mo>(</mo><mn>2</mn><mi>&omega;</mi><mo>)</mo></mrow><mn>2</mn></msup></msqrt></mfrac><mo>.</mo></mrow></math>]]></maths>这里L<sub>m</sub>,d<sub>m</sub>,S<sub>m</sub>分别为金属加热线的长度,膜厚及截面面积,α<sub>TCR</sub>为金属材料的温度系数,I为输入电流,R为金属线电阻,ω为输入电流角频;K<sub>0</sub>(qr<sub>0</sub>)和K<sub>1</sub>(qr<sub>0</sub>)分别为零阶和一阶贝塞尔函数,其中<img file="FSB00000781328900014.GIF" wi="273" he="69" />ρ<sub>m</sub>和C<sub>pm</sub>分别表示金属薄膜的质量密度与热容,D<sub>s</sub>、D<sub>m</sub>分别为硅衬底和金属薄膜的热扩散系数,m(ω)为模型引入的热流比,用以表征金属与介质界面处的热量横向耗散与纵向耗散的比例;(4)提取基准测试样品与被测样品在不同频点下介质薄膜的热导值,厚度为d<sub>f</sub>的介质材料热导κ<sub>f</sub>可根据温度偏移给出:<maths num="0004"><![CDATA[<math><mrow><msub><mi>&kappa;</mi><mi>f</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><msup><mi>I</mi><mn>2</mn></msup><mi>R</mi><msub><mi>d</mi><mi>f</mi></msub></mrow><mrow><msub><mi>L</mi><mi>m</mi></msub><msub><mi>w</mi><mi>m</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mi>&Delta;</mi><msub><mi>T</mi><mi>m</mi></msub><mo>-</mo><mi>&Delta;</mi><msub><mi>T</mi><mi>s</mi></msub><mo>)</mo></mrow></mrow></mfrac><mo>.</mo></mrow></math>]]></maths>硅衬底与介质的界面处的温度变化ΔT<sub>s</sub>由下式给出:<maths num="0005"><![CDATA[<math><mrow><mi>&Delta;</mi><msub><mi>T</mi><mi>s</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><msup><mi>I</mi><mn>2</mn></msup><mi>R</mi></mrow><mrow><msub><mi>L</mi><mi>m</mi></msub><mi>&pi;</mi><msub><mi>&kappa;</mi><mi>s</mi></msub></mrow></mfrac><mrow><mo>(</mo><mfrac><mn>1</mn><mn>2</mn></mfrac><mi>ln</mi><mrow><mo>(</mo><mfrac><msub><mi>&kappa;</mi><mi>s</mi></msub><mrow><msub><mi>&rho;</mi><mi>s</mi></msub><msub><mi>C</mi><mi>ps</mi></msub><msubsup><mi>r</mi><mn>0</mn><mn>2</mn></msubsup></mrow></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>-</mo><mfrac><mn>1</mn><mn>2</mn></mfrac><mi>ln</mi><mrow><mo>(</mo><mn>2</mn><mi>&omega;</mi><mo>)</mo></mrow><mo>+</mo><mi>&eta;</mi><mo>-</mo><mfrac><mi>i&pi;</mi><mn>4</mn></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>.</mo></mrow></math>]]></maths>其中,r<sub>0</sub>为金属线宽w<sub>m</sub>的一半,κ<sub>s</sub>为硅衬底热导,ρ<sub>s</sub>和C<sub>ps</sub>分别为硅衬底密度与热容,η为与实验相关的结构常量;在保证介质热导值κ<sub>f</sub>在高频区与低频区不变的前提下,可得到两组基准材料与被测材料各自热流比m(ω)的实验拟合值;(5)从低频对应的两组m(ω)拟合值得到被测金属薄膜与基准材料的热阻比值,m(ω)、热阻及金属热导κ<sub>metal</sub>三种物理量关系如下式所示:<maths num="0006"><![CDATA[<math><mrow><mi>m</mi><mrow><mo>(</mo><mi>&omega;</mi><mo>)</mo></mrow><mo>&Proportional;</mo><mfrac><mi>&Delta;T</mi><mi>P</mi></mfrac><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><msub><mi>&kappa;</mi><mi>metal</mi></msub></mfrac><mfrac><msub><mi>L</mi><mi>m</mi></msub><msub><mi>S</mi><mi>m</mi></msub></mfrac><mo>.</mo></mrow></math>]]></maths>借由已知热学信息的基准金属材料,通过实验拟合得到低频下的热流比,从而间接测量金属纳米薄膜的热导值κ<sub>metal</sub>:<maths num="0007"><![CDATA[<math><mrow><mfrac><msub><mi>&kappa;</mi><mi>metal</mi></msub><msub><mi>&kappa;</mi><mi>calibratio nl</mi></msub></mfrac><mo>=</mo><mfrac><mrow><mi>m</mi><msub><mrow><mo>(</mo><mi>&omega;</mi><mo>)</mo></mrow><mi>calibratio nl</mi></msub></mrow><mrow><mi>m</mi><msub><mrow><mo>(</mo><mi>&omega;</mi><mo>)</mo></mrow><mi>metal</mi></msub></mrow></mfrac><mo>.</mo></mrow></math>]]></maths>其中κ<sub>calibrationl</sub>为已知基准金属材料的热导,m(ω)<sub>calibration nl</sub>为基准金属材料的热流比。
地址 200433 上海市邯郸路220号