发明名称 |
用于C4球中均匀电流密度的金属布线结构 |
摘要 |
在一实施例中,金属结构的焊垫下组件直接位于金属焊垫下面。焊垫下组件包括邻接所述金属焊垫的上层金属线结构,位于上层金属线结构下面的下层金属线结构,和提供位于上层金属线结构和下层金属线结构之间的电连接的金属通路孔组。在另一实施例中,通过采用一组集成的金属通路孔的金属焊垫结构,金属通路孔被分段并且被分布从而促进C4球内均匀的电流密度分布,C4球的可靠性被提高。多个金属通路孔的截面的面密度在金属焊垫的中心部比在金属焊垫的平面部的周边部高。 |
申请公布号 |
CN101866898B |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
申请号 |
CN201010163868.5 |
申请日期 |
2010.04.15 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
蒂莫西·H·多本斯佩克;沃尔夫冈·桑特;蒂莫西·D·苏里万;史蒂文·L·赖特;埃德蒙·斯普罗吉斯 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邱军 |
主权项 |
一种半导体结构,包括:布置于金属互连结构上方的金属焊垫;邻接所述金属焊垫的上层金属线结构;位于所述上层金属线结构下面的下层金属线结构;和金属通路孔组,其中所述金属通路孔组在所述金属焊垫的中心区下面比在所述金属焊垫的周边区下面具有更高的水平截面的面密度。 |
地址 |
美国纽约阿芒克 |