薄膜沉积方法

摘要

本发明公开了一种薄膜沉积方法，该方法应用于炉管中，所述炉管包括：用于按照从上至下的顺序承载晶圆的晶舟、用于反应气体在晶圆表面进行薄膜沉积的反应腔、用于对反应腔进行加热的加热器，其中，加热器按照从上到下的顺序分为5个温区，用于分别对反应腔的上部、上中部、中部、中下部和下部进行加热；在晶舟上放置M个晶圆，并向反应腔内通入反应气体，反应腔的上部温度、上中部温度、中部温度、中下部温度和下部温度分别被调整至能使反应气体在从上至下的第1个至M/3个晶圆、第(M/3)+1至2M/3个晶圆、第(2M/3)+1个至M个晶圆表面分别沉积为三种不同厚度的薄膜的温度。采用该方法能够节约成本。

主权项

一种薄膜沉积方法，该方法应用于炉管中，所述炉管包括：用于按照从上至下的顺序承载晶圆的晶舟、用于反应气体在晶圆表面进行薄膜沉积的反应腔、用于对反应腔进行加热的加热器，其中，加热器按照从上到下的顺序分为5个温区，用于分别对反应腔的上部、上中部、中部、中下部和下部进行加热；在晶舟上放置M个晶圆，并向反应腔内通入反应气体，其特征在于，反应腔的上部温度、上中部温度、中部温度、中下部温度和下部温度分别被调整至能使反应气体在从上至下的第1个至M/3个晶圆、第M/3+1至2M/3个晶圆、第2M/3+1个至M个晶圆表面分别沉积为三种不同厚度的薄膜的温度，其中，M为大于3的正整数，当M/3非整数时，M/3为向上取整或向下取整的结果；所述薄膜为氮化硅SiN薄膜，所述反应气体为二氯硅烷DCS和氨气NH3；反应腔内压力为0.1托至0.5托、反应时间为53.1分钟至64.9分钟、DCS流量为10sccm至1000sccm、NH3流量为20sccm至2000sccm，上部温度、上中部温度、中部温度、中下部温度、下部温度分别为：769℃至789℃、762℃至782℃、752℃至772℃、739℃至759℃、730℃至750℃，当M为30时，按照从上至下的顺序第1个至第10个晶圆上所沉积的SiN薄膜为1100埃，第11个至第20个晶圆上所沉积的SiN薄膜为1170埃，第21个至第30个晶圆上所沉积的SiN薄膜为12000埃。